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型号 IPA65R600C6
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220
IPA65R600C6 PDF
代理商 IPA65R600C6
标准包装 500
系列 CoolMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 7.3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 600 毫欧 @ 2.1A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 3.5V @ 210µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 23nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 440pF @ 100V
功率 - 最大 28W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3 整包
供应商设备封装 PG-TO220 整包
包装 管件
其它名称 IPA65R600C6XKSA1
SP000850502
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